Samsung fabricará DDR2 em 80 nanômetros
A Samsung passará a fabricar as memórias DDR em um processo de 80 nanômetros, e não mais em 90 nanômetros. Essa alteração fará com que a eficiência da produção aumente 50%. A transição será feita pelo processo “half-node”, o que permitirá usar a infra-estrutura dos 90nm na transição para os 80nm.
A Samsung espera um consumo muito maior de DDR2 em 2006, e com essa transição ela espera poder atender o aumento na demanda de memórias DDR2.