Segundo notícia publicada no jornal japonês Nikkei Business Daily, cientistas da Universidade Shizuoka estão desenvolvendo uma tecnologia que será mais rápida e mais barata que a tecnologia flash.
A matéria diz ainda que a RRAM (resistive random access memory) pode ser feita em uma fábrica tradicional de memórias, mas que essa nova memória pode escrever e ler os dados 1.000 vezes mais rápido que uma NAND Flash.
A Sharp já montou um protótipo, mas não se sabe quando serão fabricadas comercialmente. A patente dessa tecnologia está pendente.
Se a RRAM for metade do que foi dito, vai ter muita gente querendo ela.
O texto está mal escrito