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Segundo notícia publicada no jornal japonês Nikkei Business Daily, cientistas da Universidade Shizuoka estão desenvolvendo uma tecnologia que será mais rápida e mais barata que a tecnologia flash.

A matéria diz ainda que a RRAM (resistive random access memory) pode ser feita em uma fábrica tradicional de memórias, mas que essa nova memória pode escrever e ler os dados 1.000 vezes mais rápido que uma NAND Flash.

A Sharp já montou um protótipo, mas não se sabe quando serão fabricadas comercialmente. A patente dessa tecnologia está pendente.

Se a RRAM for metade do que foi dito, vai ter muita gente querendo ela.

[the INQUIRER]

This entry was posted on Friday, April 7th, 2006 at 12:17 and is filed under Armazenamento, Tecnologias. You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0 feed. You can leave a response, or trackback from your own site.